A dél-koreaiak megelőzték a tajvani TSMC-t 3 nanométeren, a Gate-All-Around (GAA) tranzisztor-architektúrának köszönhetően az új gyártási eljárás 45 százalékkal energiahatékonyabb, mint a korábbi 5 nm-es eljárás, és 23 százalékkal jobb teljesítményt biztosít.
A...
TÁMOGATOTT TARTALOM